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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS
Figure 2. Transfer Characteristics
Top :
15.0 V
10
2
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
10
2
175 C
Bottom : 4.5 V
10
1
o
25 C
o
10
-55 C
2. T C = 25 C
1
Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
0
o
Notes :
1. V DS = 30V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
-1
0
1
10
-1
2
4
6
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.12
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
0.09
V GS = 10V
10
10
2
1
0.06
V GS = 20V
175 C 25 o C
0.03
10
0
o
Notes :
Note : T J = 25 C
o
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.00
0
50
100 150 200
I D , Drain Current [A]
250
300
-1
0.0
0.4
0.8 1.2 1.6
V SD , Source-Drain Voltage [V]
2.0
2.4
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
18000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
12
15000
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = 30V
V DS = 75V
12000
9000
C iss
C oss
8
6
V DS = 120V
6000
3000
C rss
Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
Note : I D = 90 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
50
100
150
200
250
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA90N15 Rev C1
3
www.fairchildsemi.com
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